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ESMG100ELL330ME11D 全国供应商、价格、PDF资料

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ESMG100ELL330ME11D详细规格: 类别：电容器; 描述：CAP ALUM 33UF 10V 20% RADIAL; 系列：SMG; 制造商：United Chemi-Con; 电容：33µF; 额定电压：10V; 容差：±20%; 寿命0a0温度：85°C 时为 2000 小时; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 特点：通用; 纹波电流：83mA; ESR（等效串联电阻）：-; 阻抗：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：径向，Can; 尺寸/尺寸：0.197" 直径（5.00mm）; 高度_座高（最大）：0.433"（11.00mm）; 引线间隔：0.079"（2.00mm）; 表面贴装占地面积：-; 包装：散装

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ESMG100ELL330ME11D 深圳市诺洋电子科技有限公司 0755-83223003
ESMG100ELL330ME11D 深圳山琅电子科技有限公司 755-83229865
ESMG100ELL330ME11D 北京人上科技有限公司 13910052844（微
ESMG100ELL330ME11D 北京显周科技有限公司 13910052844（微

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IDT71V416VL10PH8
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H11D3
光隔离器 - 晶体管，光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-SMD
ESMG100ELL221ME11D
电容器 United Chemi-Con 径向，Can CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL
IDT49FCT805ASO
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 80MHZ 20-SOIC
H11D33S
光隔离器 - 晶体管，光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRANS-OUT VDE 6-SMD
ICL3225IAZ-T
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IDT49FCT805PYGI
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 80MHZ 20-SSOP
IDT71V416VL12BE8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFBGA IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
IDT49FCT805SO
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 80MHZ 20-SOIC
H11F13S
光隔离器 - 晶体管，光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER FET BILAT VDE 6-SMD
ICL3226ECA
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC TXRX RS-232 3-5.5V ESD 16SSOP
IDT70V34S25PF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 72KBIT 25NS 100TQFP
ESMG101ELL100MF11D
电容器 United Chemi-Con 径向，Can CAP ALUM 10UF 100V 20% RADIAL
IDT71V416VL15PH8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP

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