EMH详细规格
- 类别:圆形 - 外壳
- 描述:CONN E SERIES HSNG MALE NICKEL
- 系列:Q-G® E
- 制造商:Switchcraft Inc.
- 引脚或插座:
- 连接器类型:公触点插座
- 类型:
- 针脚数:3
- 外壳尺寸_插件:-
- 尺寸:
- 外壳尺寸qqqMIL:-
- 线规:
- 触头端接:
- 触头类型:焊接
- 端接:
- 触头尺寸:-
- 触头镀层:
- 安装类型:面板安装,法兰
- 触头镀层厚度:
- 紧固类型:销锁
- 方向:带标记
- 外壳材料qqq镀层:铸件,镀镍
- 侵入防护:-
- 特性:锁定
- 包装:散装
EMH10T2R详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:EMT6
- 包装:剪切带 (CT)
EMH10T2R详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:EMT6
- 包装:带卷 (TR)
EMH10T2R详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:EMT6
- 包装:Digi-Reel®
EMH11T2R详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:EMT6
- 包装:剪切带 (CT)
EMH11T2R详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:EMT6
- 包装:带卷 (TR)
- D-Sub ITT Cannon DSUB 9 F SOD G A183
- 通孔电阻器 Panasonic Electronic Components 轴向 RES 20K OHM CARBON FILM 1/2W 5%
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 Hirose Electric Co Ltd CONN HDR 50POS 0.4MM SMD GOLD
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT5
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805(2012 公制) CAP FILM 270PF 50VDC 0805
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions ISOTOP CONN EDGECARD 60POS .156 WW
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS FLANGE W/PINS
- 接线板 - 线至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 3POS 3.81MM R/A
- D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 9POS SLDER CUP
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 Hirose Electric Co Ltd CONN HDR 60POS 0.4MM SMD GOLD
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805(2012 公制) CAP FILM 330PF 50VDC 0805
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions ISOTOP CONN EDGECARD 60POS DIP .156 SLD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS FLANGE W/PINS
- 接线板 - 线至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 3POS 3.81MM ANGLE
- D-Sub ITT Cannon DSUB 9 F