EMD详细规格
- 类别：尖端，喷嘴
- 描述：TIP REPLACEMENT CONICAL .015"
- 系列：Weller®
- 制造商：Apex Tool Group
- 尖端_类型：-
- 尖端_尺寸：-
- 尖端_形状：圆锥形
- 温度范围：-
- 适用于相关产品：-
EMD12T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：EMT6
- 包装：带卷 (TR)
EMD12T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：EMT6
- 包装：剪切带 (CT)
EMD12T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：EMT6
- 包装：Digi-Reel®
EMD22T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，2.5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：EMT6
- 包装：剪切带 (CT)
EMD22T2R详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，2.5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：EMT6
- 包装：Digi-Reel®
- 振荡器 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 8.000 MHZ 3.3V SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257MHZ 20PF SMD
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 19.6608MHZ 20PF SMD
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0201（0603 公制） RES 121K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 1.13 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0201（0603 公制） RES 6.81K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0201（0603 公制） RES 160 OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257 MHZ 18PF SMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 275VAC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0201（0603 公制） RES 124 OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 1.20 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0201（0603 公制） RES 715K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 19.6608 MHZ 20PF SMD
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 16.257 MHZ 20PF SMD
0755-82575207 
0755-83200050 
0755-82574045 
0755-23613962 
0755-83291010 
755-83252273 
13510131896 
18926544209/1 
010-62104931、 
075582796732 
0755-23915992 
0755-82778126 
17302677633 
0755-83200050 
13424184668 
