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EM6J1T2R详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：115pF @ 10V; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：带卷 (TR)

EM6J1T2R详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：115pF @ 10V; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：剪切带 (CT)

EM6J1T2R详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：115pF @ 10V; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：Digi-Reel®

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线性 - 音频处理 Texas Instruments 48-TQFP IC DIGITAL AUDIO DIT/DIR 48-TQFP
ELLH03250
接线座 - 接头，插头和插口 Amphenol PCD 非标准 CONN HEADER 3POS .400" VERT BK
DJT16E23-21BB
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 21POS SKT
ERA-6AEB4533V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 453K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
EN-12603
配件 Honeywell Sensing and Control EN SW PART NUT
EPM570GT144C3N
嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件） Altera 144-LQFP IC MAX II CPLD 570 LE 144-TQFP

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