EGP30B详细规格
- 类别:单二极管/整流器
- 描述:DIODE FAST GPP 3A 100V DO-201AD
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 二极管类型:标准
- 电压_333Vr444(最大):100V
- 电流_平均整流333Io444:3A
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):950mV @ 3A
- 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间333trr444:50ns
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 100V
- 电容0a0VrwwwwF:95pF @ 4V,1MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-201AD,轴向
- 供应商设备封装:DO-201AD
- 包装:带卷 (TR)
EGP30B-E3/54详细规格
- 类别:单二极管/整流器
- 描述:DIODE 3A 100V 50NS GP20 AXIAL
- 系列:-
- 制造商:Vishay General Semiconductor
- 二极管类型:标准
- 电压_333Vr444(最大):100V
- 电流_平均整流333Io444:3A
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):950mV @ 3A
- 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间333trr444:50ns
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 100V
- 电容0a0VrwwwwF:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
- 供应商设备封装:GP20
- 包装:带卷 (TR)
EGP30B-E3/73详细规格
- 类别:单二极管/整流器
- 描述:DIODE 3A 100V 50NS GP20 AXIAL
- 系列:-
- 制造商:Vishay General Semiconductor
- 二极管类型:标准
- 电压_333Vr444(最大):100V
- 电流_平均整流333Io444:3A
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):950mV @ 3A
- 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间333trr444:50ns
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 100V
- 电容0a0VrwwwwF:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
- 供应商设备封装:GP20
- 包装:带盒(TB)
EGP30BHE3/54详细规格
- 类别:单二极管/整流器
- 描述:DIODE 3A 100V 50NS GP20 AXIAL
- 系列:-
- 制造商:Vishay General Semiconductor
- 二极管类型:标准
- 电压_333Vr444(最大):100V
- 电流_平均整流333Io444:3A
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):950mV @ 3A
- 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间333trr444:50ns
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 100V
- 电容0a0VrwwwwF:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
- 供应商设备封装:GP20
- 包装:带卷 (TR)
EGP30BHE3/73详细规格
- 类别:单二极管/整流器
- 描述:DIODE 3A 100V 50NS GP20 AXIAL
- 系列:-
- 制造商:Vishay General Semiconductor
- 二极管类型:标准
- 电压_333Vr444(最大):100V
- 电流_平均整流333Io444:3A
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):950mV @ 3A
- 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间333trr444:50ns
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 100V
- 电容0a0VrwwwwF:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
- 供应商设备封装:GP20
- 包装:带盒(TB)
EGP30B-TP详细规格
- 类别:单二极管/整流器
- 描述:DIODE GPP 3A 100V HI EFF DO201AE
- 系列:-
- 制造商:Micro Commercial Co
- 二极管类型:标准
- 电压_333Vr444(最大):100V
- 电流_平均整流333Io444:3A
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1V @ 3A
- 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间333trr444:50ns
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 100V
- 电容0a0VrwwwwF:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-201AE,轴向
- 供应商设备封装:DO-201AE
- 包装:剪切带 (CT)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 511 OHM 1W 1% 2010 SMD
- 接线板 - 线至板 Amphenol PCD Multiwatt-15(垂直,弯曲和错列引线) CONN TERM BLOCK 20POS 5.08MM R/A
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-201AE,轴向 DIODE GPP 3A 50V HI EFF DO201AE
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 1.5UF 450VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 107 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 4700PF 100V 20% X7R 0805
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.000MHZ 20PF SMD
- 连接器,互连器件 LEMO DO-214BA RECPT W.NUT CDG 6CTS
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 51.0 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.47UF 450VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 107 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 6800PF 100V 10% X7R 0805
- 连接器,互连器件 LEMO DO-214BA CONN RCPT 8POS PNL MNT SKT W/NUT
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.00MHZ 20PF SMD
- 接线板 - 线至板 Amphenol PCD Multiwatt-15(垂直,弯曲和错列引线) CONN TERM BLOCK 50POS 5.08MM R/A