ECH8662-TL-H 全国供应商、价格、PDF资料
ECH8662-TL-H详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 3.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 20V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：8-ECH
- 包装：带卷 (TR)
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SMD，扁平引线 MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8
- 光纤 Industrial Fiberoptics 9-DIP 模块 DUPLEX PATCH CORDS W/CONN
- PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics TO-204AA，TO-3 IC REG LDO ADJ 5A TO-3
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 0.047UF 25V 20% X7R 0508
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK GENERATOR 48MLF
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG BUCK BOOST INV 1.5A 8SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
- 线性 - 比较器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC QUAD DIFF COMPARATOR 14-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 0.047UF 25V 20% X7R 0508
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG BUCK BOOST INV 1.5A 8SOIC
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 64-TFSOP （0.240"，6.10mm 宽） IC PROGR TIMING CTRL HUB 64TSSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP
13510131896 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83015506 
18820154873 
0755-23613962 
0755-88603910 
18926544209/1 
010-62104931、 
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-22929859 
