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DTC144TE 全国供应商、价格、PDF资料

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DTC144TETL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,5mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:EMT3
包装:Digi-Reel®

DTC144TETL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,5mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:EMT3
包装:带卷 (TR)

DTC144TETL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,5mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:EMT3
包装:剪切带 (CT)

DTC144TE-TP详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS DGTL NPN 150MW SOT-523
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-523
供应商设备封装:SOT-523
包装:Digi-Reel®

DTC144TE-TP详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS DGTL NPN 150MW SOT-523
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-523
供应商设备封装:SOT-523
包装:剪切带 (CT)

DTC144TE-TP详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS DGTL NPN 150MW SOT-523
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):47k
电阻器_发射极333R2444(欧):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-523
供应商设备封装:SOT-523
包装:带卷 (TR)

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