DTC115EET1G 全国供应商、价格、PDF资料
DTC115EET1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):100k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):100k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-75,SOT-416
- 供应商设备封装:SC-75,SOT-416
- 包装:剪切带 (CT)
DTC115EET1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):100k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):100k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-75,SOT-416
- 供应商设备封装:SC-75,SOT-416
- 包装:带卷 (TR)
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 32768X36 4-4NS 208BGA
- 接口 - 串行器,解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盘 IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48LLP
- 信号,高达 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 24V
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 10V Y5V 1206
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANS DGTL NPN 50V 70MA VMT3
- 时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 16V 20% X7R 1206
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 32768X36 5NS 208BGA
- 接口 - 串行器,解串行器 Texas Instruments 48-TQFP IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48TQFP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 4V 20% X7R 1206
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 16V Y5V 1206
- 信号,高达 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 12V
- 接口 - 串行器,解串行器 Texas Instruments 48-TQFP IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48TQFP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 6-7NS 208-BGA
- 时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC