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DTA114Y 全国供应商、价格、PDF资料

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DTA114YET1详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP BIAS RES 50V SC75-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:SC-75,SOT-416
包装:带卷 (TR)

DTA114YET1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP BIAS RES 50V SC75-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:SC-75,SOT-416
包装:带卷 (TR)

DTA114YETL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP 50V 70MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:EMT3
包装:带卷 (TR)

DTA114YETL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP 50V 70MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:EMT3
包装:剪切带 (CT)

DTA114YETL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP 50V 70MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商设备封装:EMT3
包装:Digi-Reel®

DTA114YKAT146详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRAN DIGIT PNP 40V 100MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:250MHz
功率_最大:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SMT3
包装:剪切带 (CT)

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