DRA2123E0L 全国供应商、价格、PDF资料

DRA2123E0L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS PNP W/RES 50V 100MA MINI3

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k

电阻器_发射极333R2444（欧）：2.2k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：6 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：迷你型3-G3-B

包装：剪切带 (CT)

DRA2123E0L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS PNP W/RES 50V 100MA MINI3

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k

电阻器_发射极333R2444（欧）：2.2k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：6 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：迷你型3-G3-B

包装：Digi-Reel®

DRA2123E0L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS PNP W/RES 50V 100MA MINI3

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k

电阻器_发射极333R2444（欧）：2.2k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：6 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：迷你型3-G3-B

包装：带卷 (TR)