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DP0150ALP4-7B 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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DP0150ALP4-7B详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路
描述：TRANS PNP 50V 100MA DFN1006H4-3
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶体管类型：PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
电流_集电极截止（最大）：-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，6V
功率_最大：450mW
频率_转换：80MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-XFDFN
供应商设备封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
包装：Digi-Reel®

DP0150ALP4-7B详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路
描述：TRANS PNP 50V 100MA DFN1006H4-3
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶体管类型：PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
电流_集电极截止（最大）：-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，6V
功率_最大：450mW
频率_转换：80MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-XFDFN
供应商设备封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
包装：带卷 (TR)

DP0150ALP4-7B详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路
描述：TRANS PNP 50V 100MA DFN1006H4-3
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶体管类型：PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
电流_集电极截止（最大）：-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，6V
功率_最大：450mW
频率_转换：80MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-XFDFN
供应商设备封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
包装：剪切带 (CT)

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