DMC2038LVT-7 全国供应商、价格、PDF资料

DMC2038LVT-7详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 20V TSOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A，2.6A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 10V

功率_最大：770mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：26-TSOT

包装：剪切带 (CT)

DMC2038LVT-7详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 20V TSOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A，2.6A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 10V

功率_最大：770mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：26-TSOT

包装：Digi-Reel®

DMC2038LVT-7详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 20V TSOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A，2.6A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 10V

功率_最大：770mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：26-TSOT

包装：带卷 (TR)