DDTD122LC-7的供应信息|PDF资料|求购DDTD122LC-7上51电子网

DDTD122LC-7详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS PREBIASED NPN SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：220; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 50mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：200MHz; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

DDTD122LC-7详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS PREBIASED NPN SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：220; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 50mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：200MHz; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

DDTD122LC-7-F详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS PREBIASED NPN SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：220; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 50mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：200MHz; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

DDTD122LC-7-F详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS PREBIASED NPN SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：220; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 50mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：200MHz; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：Digi-Reel®

DDTD122LC-7-F详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS PREBIASED NPN SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：220; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 50mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：200MHz; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

DDTC114WKA-7-F
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN 200MW R1/R2 SC59-3
DEF2CLH020CA3B
陶瓷 Murata Electronics North America 径向，圆盘 CAP CER 2PF 6.3KV RADIAL
DDTD122LC-7-F
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIASED NPN SOT23-3
DF7-9EP-3.96C
矩形 - 外壳 Hirose Electric Co Ltd 144-LQFP CONN PLUG HOUSING 9POS 3.96MM CR
DEMO9S08SH8
通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Freescale Semiconductor BOARD DEMO FOR MC9S08SH FAM
B43305B5567M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 560UF 450V
DEA-9P-K87-F0
D-Sub，D 形 - 外壳 ITT Cannon, LLC 1812（4532 公制），8 PC 板 CONN DSUB PLUG 9POS HSG
DDMMY-50S
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 50POS SLDER CUP
DDTC114YCA-7-F
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DF7A-4EP-3.96C
矩形 - 外壳 Hirose Electric Co Ltd 144-LQFP CONN PLUG HOUSING 4POS 3.96MM CR
DEMO9S12HY64
通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Freescale Semiconductor BOARD DEMO FOR MC9S12HY64
B43305B9187M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 180UF 400V
DEBB33A101KC1B
陶瓷 Murata Electronics North America 径向，圆盘 CAP CER 100PF 1KV 10% RADIAL
DDMMY-50S-E
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 50POS PCB
DEF2CLH040CN3A
陶瓷 Murata Electronics North America 径向，圆盘 CAP CER 4PF 6.3KV RADIAL

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