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DDTD114GC-7-F详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式; 描述：TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN - 预偏压; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：-; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 50mA，5V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：200MHz; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

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