DDTA114TCA-7 全国供应商、价格、PDF资料
DDTA114TCA-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:剪切带 (CT)
DDTA114TCA-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
DDTA114TCA-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
DDTA114TCA-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:剪切带 (CT)
DDTA114TCA-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:Digi-Reel®
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 61POS FLANGE W/SKT
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 48-TFBGA IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48TFBGA
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 TRANS BIPOLAR PNP -40V SOT-563
- 嵌入式 - 微控制器, Renesas Electronics America 100-BFQFP IC H8S MPU ROMLESS 100QFP
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818MHZ SERIES SMD
- 晶体 AVX Corp/Kyocera Corp 2-SMD CRYSTAL 9.84375MHZ 8PF SMD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 61POS FLANGE W/SKT
- 嵌入式 - 微控制器, Renesas Electronics America 100-BFQFP MCU 3V 0K I-TEMP PB-FREE 100-TQF
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 48-TFBGA IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48TFBGA
- 晶体 ECS Inc 4-SOJ,9.40mm 间距 CRYSTAL 14.31818MHZ SERIES SMD
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 61POS PIN
- 端子 - 快速连接,快速断连 Panduit Corp 100-BFQFP BLADE MALE NON INS 16-14AWG
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Diodes Inc SOT-523 TRANS PREB PNP 150MW R1/2 SOT523
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 48-TFBGA IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48TFBGA