CGA6M3X7R2E224K的供应信息|PDF资料|求购CGA6M3X7R2E224K上51电子网

CGA6M3X7R2E224K详细规格: 类别：陶瓷; 描述：CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210; 系列：CGA; 制造商：TDK Corporation; 电容：0.22µF; 电压_额定：250V; 容差：±10%; 温度系数：X7R; 安装类型：表面贴装，MLCC; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 应用：自动; 额定值：; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 尺寸/尺寸：; 高度_座高（最大）：; 厚度（最大）：; 引线间隔：; 特点：; 包装：剪切带 (CT)

CGA6M3X7R2E224K详细规格: 类别：陶瓷; 描述：CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210; 系列：CGA; 制造商：TDK Corporation; 电容：0.22µF; 电压_额定：250V; 容差：±10%; 温度系数：X7R; 安装类型：表面贴装，MLCC; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 应用：自动; 等级：AEC-Q200; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）; 高度_安装（最大值）：-; 厚度：; 厚度（最大值）：0.087"（2.20mm）; 引线间距：-; 特性：-; 包装：带卷 (TR); 故障率：

CGA6M3X7R2E224K详细规格: 类别：陶瓷; 描述：CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210; 系列：CGA; 制造商：TDK Corporation; 电容：0.22µF; 电压_额定：250V; 容差：±10%; 温度系数：X7R; 安装类型：表面贴装，MLCC; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 应用：自动; 等级：AEC-Q200; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）; 高度_安装（最大值）：-; 厚度：; 厚度（最大值）：0.087"（2.20mm）; 引线间距：-; 特性：-; 包装：Digi-Reel®; 故障率：

CGA6M3X7R2E224K详细规格: 类别：陶瓷; 描述：CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210; 系列：CGA; 制造商：TDK Corporation; 电容：0.22µF; 电压_额定：250V; 容差：±10%; 温度系数：X7R; 安装类型：表面贴装，MLCC; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 应用：自动; 等级：AEC-Q200; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）; 高度_安装（最大值）：-; 厚度：; 厚度（最大值）：0.087"（2.20mm）; 引线间距：-; 特性：-; 包装：剪切带 (CT); 故障率：

CGA6M3X7R2E224K详细规格: 类别：陶瓷; 描述：CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210; 系列：CGA; 制造商：TDK Corporation; 电容：0.22µF; 电压_额定：250V; 容差：±10%; 温度系数：X7R; 安装类型：表面贴装，MLCC; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 应用：自动; 额定值：; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 尺寸/尺寸：; 高度_座高（最大）：; 厚度（最大）：; 引线间隔：; 特点：; 包装：带卷 (TR)

CGA6M3X7R2E224K详细规格: 类别：陶瓷; 描述：CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210; 系列：CGA; 制造商：TDK Corporation; 电容：0.22µF; 电压_额定：250V; 容差：±10%; 温度系数：X7R; 安装类型：表面贴装，MLCC; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 应用：自动; 额定值：; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 尺寸/尺寸：; 高度_座高（最大）：; 厚度（最大）：; 引线间隔：; 特点：; 包装：Digi-Reel®

CGA6M3X7R2E224K供应商

查看更多CGA6M3X7R2E224K的供应商

ESR10EZPF4301
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
CGA3E2X7R1H223K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603
FQB11N40TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
CGJ6L4X7T2H104K
陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.1UF 500V 10% X7T 1210
CGA6M3X7R2E104M/SOFT
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 250V 20% X7R 1210
FK18C0G1H6R8D
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 6.8PF 50V RADIAL
CGA3E2X7R1H223K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603
ESR10EZPF49R9
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 49.9 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
CGJ6M2X7R2A334K
陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.33UF 100V 10% X7R 1210
ESR10EZPF4R70
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.70 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
FK18C0G1H6R8D
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 6.8PF 50V RADIAL
CGA3E2X7R1H331K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0603
CGJ6M2X7R2A474K
陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
FQB13N10LTM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
CGA6M3X7R2E224K/SOFT
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210