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BZX84C4V3S-7详细规格: 类别：二极管/齐纳阵列; 描述：DIODE ZENER DUAL 4.3V SOT-363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：4.3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：3µA @ 1V; 配置：2 个独立式; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：90 欧姆; 容差：±6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：剪切带 (CT)

BZX84C4V3S-7详细规格: 类别：二极管/齐纳阵列; 描述：DIODE ZENER DUAL 4.3V SOT-363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：4.3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：3µA @ 1V; 配置：2 个独立式; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：90 欧姆; 容差：±6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：带卷 (TR)

BZX84C4V3S-7-F详细规格: 类别：二极管/齐纳阵列; 描述：DIODE ZENER DUAL 4.3V SOT363; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 电压_齐纳（标称）333Vz444：4.3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：3µA @ 1V; 配置：2 个独立式; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：90 欧姆; 容差：±6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：带卷 (TR)

BZX84C4V3S-7-F详细规格: 类别：二极管/齐纳阵列; 描述：DIODE ZENER DUAL 4.3V SOT363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：4.3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：3µA @ 1V; 配置：2 个独立式; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：90 欧姆; 容差：±6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：剪切带 (CT)

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BZX84C4V3S-7-F详细规格: 类别：二极管/齐纳阵列; 描述：DIODE ZENER DUAL 4.3V SOT363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_齐纳（标称）333Vz444：4.3V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：3µA @ 1V; 配置：2 个独立式; 功率_最大：200mW; 阻抗（最大）333Zzt444：90 欧姆; 容差：±6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SOT-363; 包装：带卷 (TR)

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