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BUZ31 全国供应商、价格、PDF资料

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BUZ31详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 9A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:1120pF @ 25V
功率_最大:95W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:PG-TO220-3
包装:管件

BUZ31 E3045A详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 9A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:1120pF @ 25V
功率_最大:95W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-3
包装:带卷 (TR)

BUZ31 E3046详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 9A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:1120pF @ 25V
功率_最大:95W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-3
包装:带卷 (TR)

BUZ31 H详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 9A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:1120pF @ 25V
功率_最大:95W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:PG-TO220-3
包装:管件

BUZ31 H3045A详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:1120pF @ 25V
功率_最大:95W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-3
包装:Digi-Reel®

BUZ31 H3045A详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:1120pF @ 25V
功率_最大:95W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-3
包装:剪切带 (CT)

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