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BUT11A 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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BUT11A详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 450V 5A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 500mA,2.5A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:-
功率_最大:100W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220
包装:散装

BUT11A详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 500mA,2.5A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 500mA,5V
功率_最大:83W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220
包装:管件

BUT11AFTU详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 450V 5A TO-220F
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 500mA,2.5A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:-
功率_最大:40W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件

BUT11AI,127详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 1000V 5A TO220AB
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 330mA,2.5A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:14 @ 500mA,5V
功率_最大:100W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

BUT11APX,127详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 1000V 5A SOT186A
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 600mA,3A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:14 @ 500mA,5V
功率_最大:32W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 隔离片
供应商设备封装:TO-220-3
包装:管件

BUT11APX-1200,127详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 1200V 6A TO-220F
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):6A
电压_集电极发射极击穿(最大):550V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 400mA,2A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 500mA,5V
功率_最大:32W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 隔离片
供应商设备封装:TO-220-3
包装:管件

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