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BUK7Y13-40B,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH TRENCH 40V LFPAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：58A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1311pF @ 25V; 功率_最大：85W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8; 包装：带卷 (TR)

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BUK7Y13-40B,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH TRENCH 40V LFPAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：58A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1311pF @ 25V; 功率_最大：85W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8; 包装：剪切带 (CT)

B82793C105N265
共模扼流圈 EPCOS Inc 水平式，4 J 形引线 RING CORE DBL CHOKE 1MH SMD
C0402C0G1C330J
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 33PF 16V 5% NP0 01005
BUK7Y10-30B,115
FET - 单 NXP Semiconductors SC-100，SOT-669，4-LFPAK MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
BAJ0BC0FP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 10V 1A TO252
744030001
固定式 Wurth Electronics Inc 非标准 INDUCTOR POWER 1.2UH 1A SMD
BZV90-C43,115
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA DIODE ZENER 1.5W 43V SOT223
BZX84C36W-7-F
单二极管/齐纳 Diodes Inc SC-70，SOT-323 DIODE ZENER 36V 200MW SC70-3
B82793S0513N201
共模扼流圈 EPCOS Inc 水平式，4 J 形引线 RING CORE DBL CHOKE 51UH SMD
BYG23MHE3/TR
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE 1.5A 1000V 75NS DO-214AC
B78108S1103J
固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE BC 10UH 5%
744030003
固定式 Wurth Electronics Inc 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH .65A SMD
BZX84C39-7
单二极管/齐纳 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 39V 350MW SOT23-3
BZV90-C43,115
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA DIODE ZENER 43V 1.5W SOT223
B82794C286N465
共模扼流圈 EPCOS Inc 8-SMD RING CORE DBL CHOKE 28MH SMD
BYG23T-M3/TR
单二极管/整流器 Vishay Semiconductors DO-214AC，SMA DIODE AVAL 1300V 18A SMD

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