BUK7660-100A 全国供应商、价格、PDF资料
BUK7660-100A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1377pF @ 25V
- 功率_最大:106W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
BUK7660-100A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特点:
- 漏极至源极电压333Vdss444:
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id时的Vgs333th444(最大):
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
BUK7660-100A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特点:
- 漏极至源极电压333Vdss444:
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id时的Vgs333th444(最大):
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 6800PF 1.6KVDC RADIAL
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SC-90,SOD-323F DIODE ZENER 3.9V 550MW SC-90
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.82UF 63VDC RADIAL
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 32-LQFP IC 8051 MCU 8K FLASH 32LQFP
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 50PF 300V 5% RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 7500PF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 47UF 6.3V 20% X5R 1206
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 32K FLASH 28-QFN
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.15UF 100VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 50PF 300V 5% RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.082UF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 51PF 50V 5% NP0 1206
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC MCU USB 32K FLASH 32VFQFN
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SC-90,SOD-323F DIODE ZENER 5.1V 550MW SC-90