BUK7608-40B,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2689pF @ 25V
- 功率_最大:157W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
BUK7608-40B,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2689pF @ 25V
- 功率_最大:157W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
BUK7608-40B,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2689pF @ 25V
- 功率_最大:157W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
BUK7608-55,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 25V
- 功率_最大:187W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
BUK7608-55A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特点:
- 漏极至源极电压333Vdss444:
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id时的Vgs333th444(最大):
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
BUK7608-55A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特点:
- 漏极至源极电压333Vdss444:
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id时的Vgs333th444(最大):
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 33V 500MW SOD80C
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 2008(5020 公制),凹陷 RES ARRAY 5.1K OHM 4 RES 2008
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引脚 DOUBLE CHOKE 39MH 1A VERT
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-201AD,轴向 DIODE 3A 1300V DO-201AD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IC REG LDO 8V 1A TO-252-3
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8-TSSOP
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 39V 500MW SOD80C
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引脚 DOUBLE CHOKE 4.7MH 4A VERT
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 2008(5020 公制),凹陷 RES ARRAY 56 OHM 4 RES 2008
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-220-3 全封装截切引线 IC REG LDO 9V 1A TO-220CP-3
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-201AD,轴向 DIODE 2A 800V 500NS DO-201AD
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盘 IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80C