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» 型号"BUK662R5-30C,118"的供应信息
BUK662R5-30C,118 全国供应商、价格、PDF资料
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BUK662R5-30C,118详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH TRENCH D2PACK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:114nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6960pF @ 25V
功率_最大:204W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:Digi-Reel®
BUK662R5-30C,118详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH TRENCH D2PACK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:114nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6960pF @ 25V
功率_最大:204W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:剪切带 (CT)
BUK662R5-30C,118详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH TRENCH D2PACK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:114nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6960pF @ 25V
功率_最大:204W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:带卷 (TR)
BUK662R5-30C,118供应商
查看更多BUK662R5-30C,118的供应商
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