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BUK6209-30C,118 全国供应商、价格、PDF资料

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BUK6209-30C,118详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH TRENCH DPAK
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.8 毫欧 @ 12A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：30.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 25V
功率_最大：80W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：D-Pak
包装：带卷 (TR)

BUK6209-30C,118详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.8 毫欧 @ 12A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：30.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 25V
功率_最大：80W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：D-Pak
包装：剪切带 (CT)

BUK6209-30C,118详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.8 毫欧 @ 12A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：30.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 25V
功率_最大：80W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：D-Pak
包装：Digi-Reel®

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