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BUD42D 全国供应商、价格、PDF资料

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BUD42D详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 350V 2A BIPOLAR DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):350V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 500mA,2A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 2A,5V
功率_最大:25W
频率_转换:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:管件

BUD42D-001详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 350V 2A BIPOLAR DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):350V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 500mA,2A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 2A,5V
功率_最大:25W
频率_转换:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:管件

BUD42D-1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 350V 2A BIPOLAR DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):350V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 500mA,2A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 2A,5V
功率_最大:25W
频率_转换:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:管件

BUD42DG详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 350V 2A BIPOLAR DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):350V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 500mA,2A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 2A,5V
功率_最大:25W
频率_转换:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:管件

BUD42DT4详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN BIPOLAR 2A 350V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):350V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 500mA,2A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 2A,5V
功率_最大:25W
频率_转换:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

BUD42DT4G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN BIPOLAR 2A 350V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):350V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 500mA,2A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 2A,5V
功率_最大:25W
频率_转换:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

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