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BSZ12DN20NS3G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 100V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：Digi-Reel®

BSZ12DN20NS3G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 100V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：带卷 (TR)

BSZ12DN20NS3G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 100V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：剪切带 (CT)

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