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BST62 全国供应商、价格、PDF资料

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BST62,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL PNP SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流_集电极截止(最大):50nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1.3W
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:剪切带 (CT)

BST62,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL PNP SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流_集电极截止(最大):50nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1.3W
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:Digi-Reel®

BST62,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL PNP SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流_集电极截止(最大):50nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1.3W
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:带卷 (TR)

BST62-70TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL PNP SOT89
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):72V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流_集电极截止(最大):10µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 150mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:带卷 (TR)

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