BSS215P H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 11µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:346pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:Digi-Reel®
BSS215P H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 11µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:346pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS215P H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 11µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:346pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS215P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 11µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:346pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS215P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 11µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:346pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:Digi-Reel®
BSS215P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 11µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:346pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 10PF 50V NP0 0402
- 三端双向可控硅开关 STMicroelectronics TO-220-3 TRIAC 4A 600V TO220AB
- 线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMPLIFIER REVERSE SOT115J
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 2200PF 50V 5% NP0 0805
- DC DC Converters Power-One 模块 EURO-CASSETTE 110W 3.3V/5.1V
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 10UF 25V 10% X5R 1206
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 680PF 100V 2% NP0 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 10PF 50V NP0 0402
- 线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMP PUSH PULL SOT115J
- DC DC Converters Power-One 模块 EURO-CASSETTE 120W 2X 12V
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.022UF 50V 5% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 680PF 100V 5% X7R 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 10UF 25V 10% X5R 1206
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 100PF 50V 1% NP0 0402