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BSS138W 全国供应商、价格、PDF资料

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BSS138W详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 50V 21MA SOT323
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:210mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.1nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:38pF @ 25V
功率_最大:340mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:SOT-323
包装:带卷 (TR)

BSS138W E6327详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 26µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:43pF @ 25V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:PG-SOT323-3
包装:带卷 (TR)

BSS138W E6327详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 26µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:43pF @ 25V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:PG-SOT323-3
包装:剪切带 (CT)

BSS138W E6327详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 26µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:43pF @ 25V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:PG-SOT323-3
包装:Digi-Reel®

BSS138W E6433详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 26µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:43pF @ 25V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:PG-SOT323-3
包装:带卷 (TR)

BSS138W L6327详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 26µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:43pF @ 25V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:PG-SOT323-3
包装:带卷 (TR)

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