BSS138TC详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 欧姆 @ 220mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC BUFFER NON-INVERTING 6XSON
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 9100PF 25V 5% NP0 0603
- FET - 单 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
- 评估演示板和套件 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 EVAL MODULE FOR BQ24167-741
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.039UF 10V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 12PF 100V 10% NP0 0805
- 铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） FERRITE BEAD 180 OHM 0603
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 9.1PF 100V NP0 0603
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC BUFFER NON-INVERTING 6XSON
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 120PF 16V 5% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.039UF 16V 20% X7R 0603
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRG MGMT LI-ION 24VQFN
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 9.1PF 50V NP0 0603
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC BUFFER NON-INVERTING 6XSON
- 铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） FERRITE BEAD 180 OHM 0603
18820154873 
0755-89697985 
0755-83223003 
010-62104931、 
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-22929859 
