BSS138N E6433详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 230mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:41pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS138N E6908详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 230mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:41pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS138N E7854详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 230mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:41pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS138N E8004详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 230mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:41pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS138N L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 230mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:41pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS138N L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 230mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:41pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:Digi-Reel®
- 配件 Cherry ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX
- 配件 TE Connectivity CONN TERM LAMP SOCKET 16-20AWG
- FET - 单 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 固定式 EPCOS Inc 1812(4532 公制) INDUCTOR 39UH 380MA 1812 10%
- 电容器 EPCOS Inc 2700UF 50V 22X30 SNAP IN
- 嵌入式 - 微控制器, Atmel 28-DIP(0.300",7.62mm) IC MCU AVR 8K 5V 10MHZ 28-DIP
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 2700PF 200V 5% NP0 1210
- 可调功率电阻 Vishay Huntington Electric Inc. 圆柱形,管件 RESISTOR POWER ADJ 2.0 OHM 225W
- 配件 Cherry 圆柱形,管件 ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX
- 固定式 EPCOS Inc 1812(4532 公制) INDUCTOR 47UH 350MA 1812 10%
- 嵌入式 - 微控制器, Atmel 32-VFQFN 裸露焊盘 MCU AVR 8K FLASH 16MHZ 32-QFN
- 电容器 EPCOS Inc 6800UF 80V 35X50 SNAP IN
- 可调功率电阻 Vishay Huntington Electric Inc. 圆柱形,管件 RESISTOR POWER ADJ 250 OHM 225W
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 2700PF 500V 20% NP0 1210
- 配件 Cherry 1210(3225 公制) ACTUATOR SIM ROLLER SC SUFFIX