BSS138LT1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 200mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
BSS138LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 200mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BSS138LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 200mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
BSS138LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 200mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
BSS138LT3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 200mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BSS138LT3G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 200mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 TE Connectivity 1210(3225 公制) FLOR TUBE SOK TERM 20-16
- 配件 Cherry 1210(3225 公制) ACTUATOR STNDRD STRGHT LD SUFFIX
- 固定式 EPCOS Inc 1812(4532 公制) INDUCTOR 33UH 400MA 1812 10%
- FET - 阵列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6
- 嵌入式 - 微控制器, Atmel 32-VFQFN 裸露焊盘 MCU AVR 8K FLASH 10MHZ 32QFN
- 电容器 EPCOS Inc 6800UF 25V 22X30 SNAP IN
- 可调功率电阻 Vishay Huntington Electric Inc. 圆柱形,管件 POWER RES 100 OHM 175W 10% ADJ
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 2700PF 100V 1% NP0 1210
- 配件 Cherry ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX
- 固定式 EPCOS Inc 1812(4532 公制) INDUCTOR 39UH 380MA 1812 10%
- 电容器 EPCOS Inc 2700UF 50V 22X30 SNAP IN
- 嵌入式 - 微控制器, Atmel 28-DIP(0.300",7.62mm) IC MCU AVR 8K 5V 10MHZ 28-DIP
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 2700PF 200V 5% NP0 1210
- 可调功率电阻 Vishay Huntington Electric Inc. 圆柱形,管件 RESISTOR POWER ADJ 2.0 OHM 225W
- 配件 Cherry 圆柱形,管件 ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX