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BSS131E6327 全国供应商、价格、PDF资料

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BSS131E6327详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:240V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 欧姆 @ 100mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 56µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:77pF @ 25V
功率_最大:360mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:PG-SOT23-3
包装:剪切带 (CT)

BSS131E6327详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:240V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 欧姆 @ 100mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 56µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:77pF @ 25V
功率_最大:360mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:PG-SOT23-3
包装:带卷 (TR)

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