BSS131 H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:240V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:110mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 56µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:77pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS131 H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:240V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:110mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 56µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:77pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:Digi-Reel®
BSS131 H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 240V 110mA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:240V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:110mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 56µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:77pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS131 L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:240V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:110mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 56µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:77pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS131E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:240V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:110mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 56µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:77pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS131E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:240V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:110mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 56µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:77pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 62PF 50V 5% NP0 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 1500PF 50V 10% X5R 0402
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC REG LDO 2.9V .2A 5SSOP
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT1206K25G2
- FET - 单 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
- 快动,限位,拉杆 Honeywell Sensing and Control TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SWITCH WOBBLE SPDT 15A SCREW
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 62PF 50V 10% NP0 0805
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 4.7K OHM 4 RES 0804
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 1500PF 50V 10% X5R 0402
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT1206K50G
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 62PF 50V 10% NP0 0805
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 4.7K OHM 4 RES 0804
- 快动,限位,拉杆 Honeywell Sensing and Control 0804(2010 公制),凸起 SWTCH OVRTRVL PLGR SPDT 15A 250V
- 测试引线 - 跳线,专用型 Mueller Electric Co 0804(2010 公制),凸起 CORD ALLI CLIP-ALLI CLIP 12" RED
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 1500PF 50V 10% X5R 0402