BSS123LT1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
BSS123LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BSS123LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
BSS123LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
BSS123LT3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BSS123LT3G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 端子 - 环形 TE Connectivity 径向,Can - SMD CONN RING UNINS 14-18AWG #8
- 端子 - 快速连接,快速断连 TE Connectivity 径向,Can - SMD CONN TAB FASTON .187
- FET - 单 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 560UH 5%
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1206
- 电容器 EPCOS Inc 10000UF 35V 30X30 SNAP IN
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 63V 20% SMD
- 端子 - 铲形 TE Connectivity 径向,Can - SMD CONN SPADE 14-18 AWG #6
- 配件 Cherry 径向,Can - SMD ACTUATOR STNDRD STRGHT LB SUFFIX
- 电容器 EPCOS Inc 4700UF 63V 30X35 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 22UF 6.3V 10% X7R 1210
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - SMD CAP ALUM 470UF 10V 20% SMD
- 配件 Cherry 径向,Can - SMD ACTUATOR STNDRD STRGHT LB SUFFIX
- 香蕉式和端头 - 插座,插头 Keystone Electronics 径向,Can - SMD PLUG BANANA STD INSULATED RED