BSS123详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:73pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
BSS123详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:73pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BSS123详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:73pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
BSS123 E6433详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:69pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS123 E7874详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:69pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS123 L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:69pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Mueller Electric Co 0805(2012 公制) INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 510K OHM 4 RES 0804
- 电容器 EPCOS Inc 47UF 160V SINGLE END
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0603K17CCG
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 56PF 200V 5% NP0 0805
- 配件 Mueller Electric Co 0805(2012 公制) INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED
- 电容器 EPCOS Inc 10UF 250V SINGLE END
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 56 OHM 4 RES 0804
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 56PF 200V 20% NP0 0805
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 82 OHM 4 RES 0804
- 配件 Mueller Electric Co 0804(2010 公制),凹陷 INSULATOR FOR BU-27 SERIES YELLW
- TVS - 二极管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 电容器 EPCOS Inc 47UF 250V SINGLE END