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BSR30,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：剪切带 (CT)

BSR30,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

BSR30,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：Digi-Reel®

BSR30,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

BSR302N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 30µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SC-59; 包装：剪切带 (CT)

BSR302N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 30µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SC-59; 包装：带卷 (TR)

C0805C105Z8VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 10V Y5V 0805
74LVC1G126GW,125
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC BUFF DVR TRI-ST N-INV 5TSSOP
C0603C821J5GACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603
BQ24103AEVM
评估演示板和套件 Texas Instruments 0603（1608 公制） BQ24103AEVM
C0603C391J4GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 16V 5% NP0 0603
BK1/S500-1.6-R
保险丝 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 1.6A 250V FAST 5X20 IEC
C2012X6S1H105K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 50V 10% X6S 0805
C0805C106K4PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 16V 10% X5R 0805
C0603C821J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603
BQ24103RHLR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盘 IC LI-ION/POL CHARGE MGMT 20-QFN
C2012X6S1H105M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 50V 20% X6S 0805
BK1/S501-125-R
保险丝 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 125MA 250V FAST CERAM
C0603C391J5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 50V 5% X7R 0603
C0805C106K8PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 10V 10% X5R 0805
74LVC1G126Z-7
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Diodes Inc SOT-553 IC BUFF/DVR TRI-ST 1BIT SOT553

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