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BSR12 全国供应商、价格、PDF资料

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BSR12,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP SOT-23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):15V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):450mV @ 10mA,100mA
电流_集电极截止(最大):50nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,1V
功率_最大:250mW
频率_转换:1.5GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:剪切带 (CT)

BSR12,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP SOT-23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):15V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):450mV @ 10mA,100mA
电流_集电极截止(最大):50nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,1V
功率_最大:250mW
频率_转换:1.5GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:带卷 (TR)

BSR12,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP SOT-23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):15V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):450mV @ 10mA,100mA
电流_集电极截止(最大):50nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,1V
功率_最大:250mW
频率_转换:1.5GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:Digi-Reel®

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