BSP89的供应信息|PDF资料|求购BSP89上51电子网

BSP89 E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP89 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP89 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

BSP89 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP89,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 340mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：Digi-Reel®

BSP89,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 340mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：带卷 (TR)

BSP89 L6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
C4520C0G3F470K
陶瓷 TDK Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 47PF 3KV 10% NP0 1808
78M6613-SP-1
评估演示板和套件 Maxim Integrated EVAL KIT 78M6613-SP-1
7B-36.000MAAE-T
晶体 TXC CORPORATION 4-SMD CRYSTAL 36.000 MHZ 12PF SMD
C0402C331K5RALTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0402
808-0128-S
配件 Staco Energy Products Company 0402（1005 公制） TRANSFRMER BRUSH 501 501C
8161J81ZGE22
按钮 C&K Components 0402（1005 公制） SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 120V
C1206C102KGRACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 1000PF 2KV 10% X7R 1206
C4520C0G3F820K
陶瓷 TDK Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 82PF 3KV 10% NP0 1808
7B-40.000MAAJ-T
晶体 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 40.000 MHZ 18PF SMD
C0402C331K8RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 330PF 10V 10% X7R 0402
808-0128-S
配件 Staco Energy Products Company 0402（1005 公制） TRANSFRMER BRUSH 501 501C
C1206C102KGRACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 1000PF 2KV 10% X7R 1206
C4520C0G3F820K
陶瓷 TDK Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 82PF 3KV 10% NP0 1808
78Q2120C09-CGTR/F
PMIC - 能量测量 Maxim Integrated IC TXRX 10/100BASE-TX 64LQFP

BSP89 全国供应商、价格、PDF资料