BSP320S E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP320S E6433详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP320S L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP320S L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
BSP320S L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:Digi-Reel®
BSP320S L6433详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:Digi-Reel®
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 10-SIP CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD
- 配件 NKK Switches 10-SIP BEZEL WHITE FOR EB/MB24 SERIES
- FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223
- 测试引线 - 跳线,专用型 Pomona Electronics TO-261-4,TO-261AA MICROGRABBER/PATCH CORD 48" BLK
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 150UF 10V 20% 2917
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity 2917(7343 公制) CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
- 网络、阵列 Bourns Inc. 10-SIP RES ARRAY 1.8K OHM 9 RES 10-SIP
- 配件 Honeywell Sensing and Control 10-SIP BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 10-SIP CONN EDGECARD 72POS .156 DIP SLD
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 680UF 4V 20% 2917
- 测试引线 - 跳线,专用型 Pomona Electronics 2917(7343 公制) MICROGRABBER/PATCH CORD 48" RED
- 连接器,互连器件 TE Connectivity 2917(7343 公制) CONN RCPT 8POS FLANGE W/PINS
- 网络、阵列 Bourns Inc. 10-SIP RES ARRAY 200K OHM 9 RES 10-SIP
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4,TO-261AA BUTTON FOR SWES AND INDICATORS