BSP317P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:430mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 430mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 370µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:262pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP317P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:430mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 430mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 370µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:262pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:Digi-Reel®
BSP317P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:430mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 430mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 370µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:262pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
BSP317PE6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:430mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 430mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 370µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:262pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP317PE6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:430mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 430mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 370µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:262pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
BSP317PE6327T详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:430mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 欧姆 @ 430mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 370µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.1nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:262pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 1200PF 630V 5% NP0 1206
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-143R TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
- 存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8TSSOP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223
- 固定式 EPCOS Inc 1812(4532 公制) INDUCTOR 220UH 115MA 1812 10%
- 触摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 1812(4532 公制) SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
- 配件 OKI/Metcal 1812(4532 公制) SPATULA ASSORTMENT BGA SMALL
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET CMOS 3.8V 5SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 180PF 630V 5% NP0 1206
- 存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC EEPROM I2C 1K 400KHZ 8-SOP
- 触摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 270UH 10%
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET CMOS 4.0V 5SSOP
- 配件 OKI/Metcal 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 MIRROR REFLOW INSPECTION
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 180PF 630V 5% NP0 1206