BSP316P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:680mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 欧姆 @ 680mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
BSP316P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:680mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 欧姆 @ 680mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP316P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:680mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 欧姆 @ 680mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:Digi-Reel®
BSP316PE6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:680mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 欧姆 @ 680mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
BSP316PE6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:680mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 欧姆 @ 680mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP316PE6327T详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:680mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 欧姆 @ 680mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 170µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:146pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 150UF 6.3V 20% 2917
- 网络、阵列 Bourns Inc. 10-SIP RES ARRAY 12K OHM 9 RES 10-SIP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions TO-261-4,TO-261AA CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD
- 配件 NKK Switches TO-261-4,TO-261AA SW CAP .945" BEZEL GRAY
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity TO-261-4,TO-261AA CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4,TO-261AA BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
- 网络、阵列 Bourns Inc. 12-SIP RES NET MULT OHM 20 RES 12-SIP
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 150UF 10V 20% 2917
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions TO-261-4,TO-261AA CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD
- 配件 NKK Switches TO-261-4,TO-261AA BEZEL BLACK FOR EB/MB24 SERIES
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4,TO-261AA BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
- 测试引线 - 跳线,专用型 Pomona Electronics TO-261-4,TO-261AA MICROGRABBER/PATCH CORD 24" RED
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 150UF 10V 20% 2917
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity 2917(7343 公制) CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN