BSP315P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫欧 @ 1.17A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 160µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:160pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP315P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫欧 @ 1.17A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 160µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:160pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
BSP315P L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫欧 @ 1.17A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 160µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:160pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:Digi-Reel®
BSP315P-E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫欧 @ 1.17A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 160µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:160pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
BSP315P-E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫欧 @ 1.17A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 160µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:160pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP315PE6327T详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫欧 @ 1.17A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 160µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:160pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
- 端子 - 快速连接,快速断连 TE Connectivity 1210(3225 公制) RCPT FASTON .110 STR 20-18AWG
- FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- 固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR .068UH 480MA 1210 10%
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4700PF 100V 20% X7R 1206
- 电容器 EPCOS Inc 33UF 6.3V 5X11 SINGLE END
- 其它 3M SURFACE BELT 1/2X42" A MED
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.018UF 630V 5% X7R 1210
- 同轴,RF TE Connectivity 1210(3225 公制) CONN PLUG STR MCX 50OHM
- 配件 TE Connectivity 1210(3225 公制) RIBBON CUTTER BLADE REPLACEMENT
- 电容器 EPCOS Inc 220UF 10V 6.3X11 SINGLE END
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4700PF 50V 20% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.18UF 50V Z5U 1210
- 其它 3M 1210(3225 公制) HIGH STRENGTH DISC TR 2" A VFN
- 配件 TE Connectivity 1210(3225 公制) RIBBON CUTTER BLADE REPLACEMENT
- 同轴,RF TE Connectivity 1210(3225 公制) CONN PLUG STR MCX 50OHM