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BSP16 全国供应商、价格、PDF资料

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BSP16T1详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS SS PNP 300V 100MA SOT-223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):300V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 5mA,50mA
电流_集电极截止(最大):50µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,10V
功率_最大:1.5W
频率_转换:15MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

BSP16T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS SS PNP 300V 100MA SOT-223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):300V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 5mA,50mA
电流_集电极截止(最大):50µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,10V
功率_最大:1.5W
频率_转换:15MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

BSP16T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS SS PNP 300V 100MA SOT-223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):300V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 5mA,50mA
电流_集电极截止(最大):50µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,10V
功率_最大:1.5W
频率_转换:15MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:剪切带 (CT)

BSP16T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS SS PNP 300V 100MA SOT-223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):300V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 5mA,50mA
电流_集电极截止(最大):50µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 50mA,10V
功率_最大:1.5W
频率_转换:15MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:Digi-Reel®

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