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BSO201SP 全国供应商、价格、PDF资料

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BSO201SP详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 14.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:128nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5962pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)

BSO201SP详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 14.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:128nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5962pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:P-DSO-8
包装:带卷 (TR)

BSO201SP详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 14.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:128nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5962pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:P-DSO-8
包装:剪切带 (CT)

BSO201SP详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 14.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:128nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5962pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)

BSO201SP H详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 14.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:88nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9600pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:PG-DSO-8
包装:剪切带 (CT)

BSO201SP H详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 14.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:88nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9600pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:PG-DSO-8
包装:带卷 (TR)

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