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BSD816SN L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 1.4A，2.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 3.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 2.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：剪切带 (CT)

BSD816SN L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 1.4A，2.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 3.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 2.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：带卷 (TR)

BSD816SN L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 1.4A，2.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 3.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 2.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：Digi-Reel®

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晶体 TXC CORPORATION - CRYSTAL 48.000 MHZ 12PF SMD
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陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 8.2UF 6.3V 10% X7R 1206
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陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 39PF 400V 5% RADIAL
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