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BSC032N03S 全国供应商、价格、PDF资料

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BSC032N03S详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 70µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5080pF @ 15V
功率_最大:78W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:P-TDSON-8(5.15x6.15)
包装:带卷 (TR)

BSC032N03SG详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 70µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5080pF @ 15V
功率_最大:78W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装:剪切带 (CT)

BSC032N03SG详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 70µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5080pF @ 15V
功率_最大:78W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装:带卷 (TR)

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