BS7067N06LS3G 全国供应商、价格、PDF资料
BS7067N06LS3G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 30V
- 功率_最大：78W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
- 包装：带卷 (TR)
BS7067N06LS3G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 30V
- 功率_最大：78W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
- 包装：剪切带 (CT)
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 22UF 6.3V 10% X5R 1210
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 120UF 400V
- 热敏电阻 - NTC EPCOS Inc 塑模盘 NTC THERMISTOR S236 /2.2 /M
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 Sharp Microelectronics 侧视图 PHOTODIODE BLUE SENS
- 配件 Red Lion Controls 侧视图 CUB 2 BASE MOUNT KIT
- RF FET NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2PF 100V NP0 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.068UF 100V X8R 1206
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 150UF 400V
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 22UF 6.3V 20% X5R 1210
- 配件 Red Lion Controls 1210（3225 公制） 1/16 DIN LIBRA AND LEGEND BASE
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2PF 50V NP0 0805
- RF FET NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 150UF 400V
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.068UF 100V X8R 1206
18913062888 
0755-89697985 
0755-83223003 
18820154873 
010-62104931、 
133-5299-5145 
010-62104931、 
13910052844（微 
0755-22929859 
