BS108,126详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:300mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 100mA,2.8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:120pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
BS108/01,126详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:300mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 100mA,2.8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:120pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
BS108G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:250mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 欧姆 @ 100mA,2.8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 25V
- 功率_最大:350mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:管件
BS108ZL1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:250mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 欧姆 @ 100mA,2.8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 25V
- 功率_最大:350mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
BS108ZL1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:250mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 欧姆 @ 100mA,2.8V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 25V
- 功率_最大:350mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 100UF 450V
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 450V 10% X7T 1206
- 涌入电流限制器 (ICL) EPCOS Inc 1206(3216 公制) CURRENT LIMITER INRSH 25 OHM 20%
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
- 灯 - 冷阴极荧光 (CCFL) 和 UV JKL Components Corp. TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 LAMP CCFL 800V 2.2MM X 160MM
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 0805
- RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805(2012 公制) BOARD SHIELD .65X.65" 1PIECE
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 0805(2012 公制) INSULATOR FOR LARGE C&D BATTERY
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 450V 20% X7T 1206
- 涌入电流限制器 (ICL) EPCOS Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 CURRENT LIMITER INRSH 3 OHM 20%
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 0805
- RF FET Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 IC AMP RF N-CH 30V TO-92
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) TO-226-3、TO-92-3 标准主体 INSULATOR FOR LARGE C&D BATTERY
- RF 屏蔽 Laird Technologies EMI TO-226-3、TO-92-3 标准主体 BOARD SHIELD 1.0X1.5" 1PIECE
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 120UF 450V