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BR93L66RFVJ-WE2详细规格: 类别：存储器; 描述：IC EEPROM 4KBIT 2MHZ TSSOP-B8J; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 格式_存储器：EEPROMs - 串行; 存储器类型：EEPROM; 存储容量：4K (256 x 16); 速度：2MHz; 接口：Microwire 3 线串行; 电压_电源：1.8 V ~ 5.5 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商器件封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

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B82462G2682M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH 1.45A SMD
C3216X7R2A154M
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.15UF 100V 20% X7R 1206
BR93L66F-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP
B483B-2
桥式整流器 Crydom Co. B48 模块，有隔离屏障 MOD DIODE PWR 35A 120VAC ISO PNL
B41002A8154M
电容器 EPCOS Inc 0.15UF 63V 4X7 SINGLE END
BF014D0682K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 6800PF 63VDC RADIAL
BH2/3AC
配件 MPD (Memory Protection Devices) 径向 COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
C3216X7R2A224M
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 100V 20% X7R 1206
B82462G2821M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER .82UH 3.25A SMD
B41002B4107M
电容器 EPCOS Inc 100UF 16V 6.3X7 SINGLE END
BM10B(0.6)-20DP-0.4V(51)
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Hirose Electric Co Ltd CONN HDR 20POS 0.4MM SMD GOLD
BF014E0102K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 1000PF 100VDC RADIAL
BH2/3A-SM
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) 径向 HOLDER BATT 2/3A CELL SMD
B82462G2821M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER .82UH 3.25A SMD
C3216X7R2A333KT5
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 100V X7R 1206